场效应管的主要参数 :
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
Cds—漏-源电容
Cdu—漏-衬底电容
Cgd—栅-漏电容
Cgs—漏-源电容
Ciss—栅短路共源输入电容
Coss—栅短路共源输出电容
Crss—栅短路共源反向传输电容
D—占空比（占空系数，外电路参数）
di/dt—电流上升率（外电路参数）
dv/dt—电压上升率（外电路参数）
ID—漏极电流（直流）
IDM—漏极脉冲电流
ID(on)—通态漏极电流
IDQ—静态漏极电流（射频功率管）
IDS—漏源电流
IDSM—最大漏源电流
IDSS—栅-源短路时，漏极电流
IDS(sat)—沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG—栅极电流（直流）
IGF—正向栅电流
IGR—反向栅电流
IGDO—源极开路时，截止栅电流
IGSO—漏极开路时，截止栅电流
IGM—栅极脉冲电流
IGP—栅极峰值电流
IF—二极管正向电流
IGSS—漏极短路时截止栅电流
IDSS1—对管第一管漏源饱和电流
IDSS2—对管第二管漏源饱和电流
Iu—衬底电流
Ipr—电流脉冲峰值（外电路参数）
gfs—正向跨导
Gp—功率增益
Gps—共源极中和高频功率增益
GpG—共栅极中和高频功率增益
GPD—共漏极中和高频功率增益
ggd—栅漏电导
gds—漏源电导
K—失调电压温度系数
Ku—传输系数
L—负载电感（外电路参数）
LD—漏极电感
Ls—源极电感
rDS—漏源电阻
rDS(on)—漏源通态电阻
rDS(of)—漏源断态电阻
rGD—栅漏电阻
rGS—栅源电阻
Rg—栅极外接电阻（外电路参数）
RL—负载电阻（外电路参数）
R(th)jc—结壳热阻
R(th)ja—结环热阻
PD—漏极耗散功率
PDM—漏极最大允许耗散功率
PIN–输入功率
POUT—输出功率
PPK—脉冲功率峰值（外电路参数）
to(on)—开通延迟时间
td(off)—关断延迟时间
ti—上升时间
ton—开通时间
toff—关断时间
tf—下降时间
trr—反向恢复时间
Tj—结温
Tjm—最大允许结温
Ta—环境温度
Tc—管壳温度
Tstg—贮成温度
VDS—漏源电压（直流）
VGS—栅源电压（直流）
VGSF–正向栅源电压（直流）
VGSR—反向栅源电压（直流）
VDD—漏极（直流）电源电压（外电路参数）
VGG—栅极（直流）电源电压（外电路参数）
Vss—源极（直流）电源电压（外电路参数）
VGS(th)—开启电压或阀电压
V（BR）DSS—漏源击穿电压
V（BR）GSS—漏源短路时栅源击穿电压
VDS(on)—漏源通态电压
VDS(sat)—漏源饱和电压
VGD—栅漏电压（直流）
Vsu—源衬底电压（直流）
VDu—漏衬底电压（直流）
VGu—栅衬底电压（直流）
Zo—驱动源内阻
η—漏极效率（射频功率管）
Vn—噪声电压
aID—漏极电流温度系数
ards—漏源电阻温度系数
[编辑本段]4.结型场效应管的管脚识别:
判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.
判定源极S、漏极D:
在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.